میکرون نقشه راه سال ۲۰۲۷ را معرفی کرد؛ DDR6 با پهنای باند بیش از دو برابر DDR5 رونمایی شد

شرکت میکرون (Micron) به‌تازگی از برنامه‌ی استراتژیک فناوری حافظه و ذخیره‌سازی‌اش برای سال‌های پیش‌رو رونمایی کرده است. این طرح شامل حافظه‌های نسل جدید DDR6 و LPDDR6، حافظه‌های با پهنای باند بالا (HBM) و حافظه فلش نند (NAND) با بیش از ۴۰۰ لایه می‌شود. بسیاری از این نوآوری‌ها با هدف پاسخگویی به نیازهای فزاینده در مراکز داده هوش مصنوعی طراحی شده‌اند؛ بازاری که تقاضای بالایی برای توان پردازشی و ظرفیت حافظه دارد و در نتیجه، هزینه‌های سخت‌افزاری را تحت فشار قرار داده است.

به‌گزارش ایتنا به نقل از Techspot، میکرون به‌تازگی اعلام کرده که نسل جدید فناوری خود که با نام یک‌دلتا (1δ) شناخته می‌شود، به‌عنوان ادامه‌ای بر نسل یک‌گاما (1γ) در حال توسعه است. این فناوری با استفاده از کنترل فرایند در مقیاس آنگستروم و ساختار سی‌ماس به همراه فلز و گیت با ثابت دی‌الکتریک بالا (HKMG)، قابلیت افزایش چگالی بیت در تولید حافظه‌های پیشرفته دی‌رم (DRAM) را حدود ۲۵ درصد نسبت به نسل قبلی فراهم می‌آورد. به‌گفته‌ی شرکت، تولید انبوه این فناوری در نیمه دوم سال ۲۰۲۷ آغاز خواهد شد.

یکی از محصولات کلیدی که بر این فناوری متکی است، حافظه DDR6 می‌باشد که به‌زعم میکرون، قادر به ارائه پهنای باندی بیش از دو برابر DDR5 خواهد بود. با این حال، این شرکت فعلاً بر روی استفاده از DDR6 در سرورهای قابل‌اعتماد و مراکز داده هوش مصنوعی تمرکز دارد و هنوز برای رایانه‌های شخصی معمولی در نظر نگرفته است. تاریخ رسمی عرضه این حافظه هنوز مشخص نشده است.

 

میکرون همچنین مشغول توسعه ماژول‌های حافظه ثبت‌شده (RDIMM) با ظرفیت یک ترابایت است که به‌خصوص برای پردازش‌های سنگین مرتبط با هوش مصنوعی و سرورهای پرتراکم طراحی شده‌اند. در زمینه حافظه‌های کم‌مصرف، این شرکت اعلام کرده است که LPDDR6 می‌تواند در مقایسه با LPDDR5 تا ۳۵ درصد افزایش بهره‌وری انرژی را به‌همراه داشته باشد. میکرون برای اجرای این فناوری در مراکز داده هوش مصنوعی با شرکایی چون متا همکاری می‌کند.

در حوزه حافظه‌های پیشرفته، میکرون از طراحی‌های نوآورانه همچون حافظه با پشته‌سازی عمودی (vHBM) و پیشرفت‌های بلندمدت در دی‌رم سه‌بعدی خبر می‌دهد. هدف این فناوری‌ها افزایش پهنای باند و کاهش مصرف انرژی در حین انتقال داده‌هاست.

در قسمت ذخیره‌سازی، نسل یازدهم حافظه فلش نند (G11) با بیش از ۴۰۰ لایه نیز در حال توسعه است. این محصول نسبت به نسل قبلی G9، چگالی بیت دو برابری و سرعت ورودی و خروجی ۱٫۵ برابری را ارائه می‌دهد و بیش از ۲۵ درصد انرژی کمتری را برای هر انتقال داده مصرف خواهد کرد. تولید این حافظه نیز برای نیمه دوم سال ۲۰۲۷ برنامه‌ریزی شده است.