به نظر میرسد سامسونگ برای تولید تراشههای سفارشی انویدیا از تکنولوژی لیتوگرافی پیشرفته TSMC بهره خواهد برد

شرکت سامسونگ با پذیرش درخواست انویدیا برای بهکارگیری لیتوگرافی ۳ نانومتری TSMC به منظور تولید تراشههای سفارشی HBM4E، موافقت کرده است. این تراشههای حافظه با پهنای باند بالا که تحت عنوان NVHBM شناخته میشوند، نقش حیاتی در زیرساختهای هوش مصنوعی انویدیا خواهند داشت.
سیاستهای تولید سامسونگ عمدتاً بر مبنای رویکردی یکپارچه استوار بوده است و تمامی اجزای رم را در کارخانههای مختص خود تولید میکند. با این حال، انویدیا به منظور اطمینان از عملکرد مطلوب و تسهیل روند اعتبارسنجی، از هر سه تامینکننده اصلی خود شامل مایکرون، اسکی هاینیکس و سامسونگ خواسته تا بخشی از اجزای رمها را با استفاده از فرآیند ۳ نانومتری TSMC تولید نمایند.
گرچه بخشی از تولید تراشهها به رقیب تایوانی سپرده شده است، اما سایر بخشها با استفاده از نسل ششم لیتوگرافی سامسونگ که تحت عنوان فرآیند 1c شناخته میشود، در خطوط تولید داخلی این شرکت ساخته خواهند شد. سامسونگ در زمینه پکیجینگ تراشه ها پیش از این نیز با شرکتهای تایوانی همکاری داشته، اما تولید تراشه توسط TSMC به عنوان یک رخداد منحصر به فرد در تاریخ فعالیتهای سامسونگ در نظر گرفته میشود.



